پروپوزال بهینه سازی ترانزیستورهای با تحرک بالای الکترونی AlGaN/GaN در حالت e-mode به منظور کاهش اتلاف سوئیچینگ و جلوگیری از فروپاشی جریان

پروپوزال بهینه سازی ترانزیستورهای با تحرک بالای الکترونی AlGaN/GaN در حالت e-mode به منظور کاهش اتلاف سوئیچینگ و جلوگیری از فروپاشی جریان

این پروپوزال با موضوع "بهینه سازی ترانزیستورهای با تحرک بالای الکترونی AlGaN/GaN در حالت e-mode به منظور کاهش اتلاف سوئیچینگ و جلوگیری از فروپاشی جریان" می باشد. فایل Word, Pdf پس از خرید محصول، قابل دانلود است. همچنین تعداد صفحات این پروپوزال 4 صفحه با رعایت قالب استاندارد دانشگاه می باشد.

فایل شبیه سازیندارد
فیلم اجرا شبیه سازیندارد
فایل Wordدارد
قالب استاندارددارد
خرید0
دیدگاه0

تومان 129,000

بازدیدهای محصول69

شرح مختصر پروپوزال

این پروپوزال با موضوع “بهینه سازی ترانزیستورهای با تحرک بالای الکترونی AlGaN/GaN در حالت e-mode  به منظور کاهش اتلاف سوئیچینگ و جلوگیری از فروپاشی  جریان” می باشد. فایل  Word, Pdf پس از خرید محصول، قابل دانلود است. همچنین تعداد صفحات این پروپوزال 4 صفحه با رعایت قالب استاندارد دانشگاه می باشد. کلیه نکات نگارشی مطابق با استاندارهای پژوهشی انجام شده است.

امکانات اصلی این پروپوزال پس از خرید عبارتند از:
امکان دانلود فایل Word پروپوزال
امکان دانلود فایل Pdf پروپوزال

توجه : در صورت نیاز به پایان نامه، پروپوزال یا شبیه سازی مشابه با این محصول و همچنین اصلاحات پس از خرید کافی است با تیم پشتیبانی “ماکان تزیز” از طریق پیامک یا واتساپ ارتباط برقرار نمایید.

شرح کلی پروپوزال بهینه سازی ترانزیستورهای با تحرک بالای الکترونی AlGaN/GaN

در تکنولوژی میکروالکترونیک ساخت مدارهای مجتمع نیمه هادی با سرعت بیشتر (بالا)، اندازه و توان مصرفی کمتر مد نظر می باشد. همچنین دستگاه های روشن کردن برق نیازمند به افت رسانایی اندک در حالت روشن یا فعال(ON)، سرعت بالای سوئیچینگ، مقاومت حرارتی بالا و  مقامت ظاهری  درونی بالا می باشند.
با رشد سریع مخابرات بیسیم نیاز به ادواتی که بتوانند در فرکانس های بالا توان خروجی بالایی نیـز داشـته باشند، بیش از پیش احساس می شود. تکنولوژی های پیشین از سیلیکن در ساخت مدارات و ادوات نیمه هادی استفاده می کردند.
ماسـفت هـای سـیلیکنی، بدلیل اینکه سیلیکن به جهت خواص ذاتی آن، ماده مناسبی برای کار در فرکانس بالا نیست، نمی تواننـد در فرکـانس های بالا کارایی لازم را داشته باشند و لازم است تا از مواد دارای خواص بهتر و ساختارهای مناسبتری استفاده گـردد تا نیازهای تکنولوژی آینده برآورده شود.
از جمله محدودیت های سیلیکن می توان به سرعت اشباع پایین الکتـرون و شکاف انرژی کم آن اشاره کرد. از طرف دیگر ساختار ماسفت خود یکی از عامل های محدود کننده عملکرد فرکـانس بالای این ادوات است. زیرا ساختار ماسفت بگونه ای است که یون های ناخالصی درون کانال حضور دارنـد. و پدیـده پراکندگی از اتمهای ناخالصی غالب خواهد بود.

ادامه شرح:

پس لازم است که هم در مواد و هم در ساختار ماسفت هـا تغییراتـی بوجود آید.  با استفاده از ترانزیستورهای گالیوم نیتریدی(GaN)، شاخصه های ذکر شده برای دستگاه های سوئیچینگ می توانند تامین شوند.
رانزیستورهای مبتنی بر GaN با تحرک الکترونی بالا(HEMT ها)  به عنوان گزینه های نوظهور و نویدبخش برای ابزار الکترونیکی که نیازمند به دمای بالا، توان  زیاد و فرکانس رادیویی می باشند تلقی می شوند.
این امر به  دلیل ظرفیت های منحصر بفرد ِ آن ها در دستیابی به  تراکم بالاتر در جریان، ولتاژ جرقه زنی ِ بالاتر، دماهای عملکردی ِ بالاتر و  فرکانس های قطع بالاتر  در مقایسه  با سیلیکون(Si) می باشد.
HEMT های متداول و مبتنی بر GaN ، با یک  دیواره از جنس آلومینیوم گالیوم نیترید (AlGaN)، از نوع  کاهنده (e-mode) می باشند یا معمولا در حالت  فعال(On) قرار دارند که نیازمند به  یک  منبع  نیرو با قطبیت  منفی، جهت خاموش شدن یا غیرفعال شدن خواهند بود.
از سوی دیگر، حالت فزاینده یا تشدید کننده(e-mode) یا HEMT های ِ AlGaN/GaN توجه زیادی را در سال  های اخیر به خود معطوف داشته اند. زیرا  افت در سوئیچینگ، و همچنین فروپاشی جریان بر توان کلی  تاثیرگذار است.
از این رو در این تحقیق سعی در بهینه کردن ترانزیستورهای با تحرک بالای الکترونی AlGaN/GaN در حالت e-mode به منظور کاهش سوئیچینگ و جلوگیری از فروپاشی  جریان می باشد.

اهداف تحقیق:

  1. بررسی خواص الکتریکی گالیم نیترید و ساختار ترانزیستور با تحرک بالای الکترونی AlGaN/GaN
  2. مدلسازی غیرخطی ترانزیستور با تحرک الکترونی بالا AlGaN/GaN
  3. بررسی تاثیر القاگرهای صفحه ای و استفاده از روش های کاهش تعادل بر عملکرد ترانزیستور
  4. بهینه سازی و پیاده سازی القاگرهای صفحه ای بر روی ترانزیستور
  5. بررسی تاثیر جابه جایی در سطح مشترک ترانزیستور با تحرک بالای الکترونی AlGaN/GaN  بر روی فروپاشی جریان
  6. بهینه کردن لایه های پوششی به منظور جلوگیری از فروپاشی جریان

نقد و بررسی‌ها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

.فقط مشتریانی که این محصول را خریداری کرده اند و وارد سیستم شده اند میتوانند برای این محصول دیدگاه(نظر) ارسال کنند.

محصولات مرتبط

  • پروپوزال بهبود کیفیت توان خروجی توربو اکسپندر ها برای تولید برق در ایستگاه های تقلیل فشار گاز

    پروپوزال بهبود کیفیت توان خروجی توربو اکسپندر ها برای تولید برق در ایستگاه های تقلیل فشار گاز

    زبان برنامه نویسیمتلب(Matlab)
    فیلم اجرا شبیه سازیندارد
    فایل Wordدارد
    قالب استاندارددارد
    تومان 156,000
  • پروپوزال یک الگوریتم خوشه بندی پویا مبتنی بر روش بهینه سازی فراابتکاری سنجاقک به منظور پوشش دهی هدف انرژی کارا در شبکه های حسگر بی سیم متحرک

    پروپوزال یک الگوریتم خوشه بندی پویا مبتنی بر روش بهینه سازی فراابتکاری سنجاقک به منظور پوشش دهی هدف انرژی کارا در شبکه های حسگر بی سیم متحرک

    فایل شبیه سازیندارد
    زبان برنامه نویسیمتلب(Matlab)
    فیلم اجرا شبیه سازیندارد
    فایل Wordدارد
    تومان 159,000
  • پروپوزال یک رویکرد مبتنی بر یادگیری ماشین جهت تعیین عوامل موثر بر پیاده سازی سیستم مدیریت ارتباط با مشتری

    پروپوزال یک رویکرد مبتنی بر یادگیری ماشین جهت تعیین عوامل موثر بر پیاده سازی سیستم مدیریت ارتباط با مشتری

    فایل شبیه سازیندارد
    فیلم اجرا شبیه سازیندارد
    فایل Wordدارد
    قالب استاندارددارد
    تومان 170,000
  • پروپوزال یک چارچوب برای معماری اعتماد الکترونیک در کسب و کار الکترونیک

    پروپوزال یک چارچوب برای معماری اعتماد الکترونیک در کسب و کار الکترونیک

    فایل شبیه سازیندارد
    فیلم اجرا شبیه سازیندارد
    فایل Wordدارد
    قالب استاندارددارد
    تومان 159,000